新华社上海2月2日电（记者张建松、张泉） 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体资料是我国制作业转型进级的驱动要素跟主要保障。记者从中国迷信院微电子研讨所得悉，我国在太空胜利验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体资料无望牵引我国航天电源进级换代。据中国迷信院微电子研讨所刘新宇研讨员先容，功率器件是实现电能变更跟把持的中心，被誉为“电力电子体系的心脏”，是最为基本、利用最为普遍的器件之一。跟着硅基功率器件的机能迫近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体资料，以其奇特上风可满意空间电源体系高能效、小型化、轻量化需要，对新一代航天技巧开展存在主要策略意思。2024年11月15日，中国迷信院微电子研讨所刘新宇、汤益丹团队跟中国迷信院空间利用工程与技巧核心刘彦平易近团队独特研制的碳化硅（SiC）载荷体系，搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，开启了空间站轨道迷信实验之旅。“本次搭载重要义务是对国产自研、高压抗辐射的碳化硅（SiC）功率器件停止空间验证，并在航天电源中停止利用验证，同时停止综合辐射效应等迷信研讨，逐渐晋升我国航天数字电源功率，支持将来单电源模块到达千瓦级。”刘新宇说。经由过程一个多月的在轨加电实验，碳化硅（SiC）载荷测试数据畸形，胜利停止了高压400V碳化硅（SiC）功率器件在轨实验与利用验证，在电源体系中静态、静态参数均合乎预期。业内专家以为，我国在太空胜利验证第三代半导体资料制作的功率器件，标记着在以“克”为计量的空间载荷需要下，碳化硅（SiC）功率器件无望牵引空间电源体系的进级换代，为将来我国在探月工程、载人登月、深空探测等范畴供给新一代功率器件。